製品詳細

化合物半導体

化合物半導体

GaP(リン化ガリウム)、GaAs(砒化ガリウム)、GaN(窒化ガリウム)やAlN(窒化アルミニウム)、さらにSiC(炭化ケイ素)などは半導体材料の一種として、近年市場が急激に拡大しています。例えば、青色発光ダイオードや青紫色半導体レーザといった光デバイスなどへの実用化が挙げられます。
化合物半導体はSiに比べチッピングが生じやすいため、一般的に微粒ブレード(#3000~#5000)が使用されます。このことから、十分な時間をかけてプリカットを施さないと、ブレード破損が生じる可能性があります。

適応可能ブレード

加工事例

以下に、化合物半導体の加工事例を示します。弊社は、問題解決のために適切なブレードとプリカットを含めた加工技術を提供いたします。

加工条件

ブレード 電鋳ハブブレード
粒度#5000、外径Φ55.58mm、刃厚0.02mm

事例

表面チッピング

※ ブレード仕様・加工方法等、詳細につきましては弊社担当者までご連絡下さい。

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